100 mm 400um 1-10Ω.cm n <00> oblea de silicio

Las obleas de SI delgadas son rebanadas delgadas de semiconductores cristalinos y son un excelente material semiconductor. Silicon Wafers se usa ampliamente en diversas aplicaciones, como sensores, células solares, aplicaciones ópticas infrarrojas, LED de alta brillo y varias aplicaciones de semiconductores y ópticos.

Método de producción: Método Czochralski (CZ)
Densidad: 2.33/cm3
Punto de fusión: 1410 ℃
Materiales dopados: sin dopar o sb dopado, indio o galio dopado
Resistividad: 0.001 - 50,000 ohm -cm
Tamaño: personalizado
Pulido: un solo lado o de doble cara
Dirección: <100>, <110>, <111>, ± 0.5º

La producción de obleas de silicio generalmente tiene los siguientes pasos:
1) Cristal largo, que se puede dividir en CZ y FZ, porque el material policristalino fusionado se pondrá en contacto directamente con el crisol de cuarzo, por lo que las impurezas en el crisol de cuarzo contaminarán el policristalino fusionado. El método CZ es adecuado para dibujar obleas de silicio de gran diámetro (300 mm), que es el principal material de oblea de silicio semiconductor en la actualidad. Como las materias primas policristalinas no están en contacto con el crisol de cuarzo, hay pocos defectos internos y bajo contenido de carbono y oxígeno, pero el precio es costoso y el costo es alto. Es adecuado para dispositivos de alta potencia y algunos productos de alta gama.

2) El corte y el dibujo de la varilla de silicio de cristal único deben cortar la cabeza y el material de la cola, luego enrollarlo y moler al diámetro requerido, cortar el borde plano o la ranura V, y luego cortar en oblea de silicio delgada. En la actualidad, la tecnología de corte de alambre de diamante generalmente se usa, con alta eficiencia y buena deformación y curvatura de la oblea de silicio. Se puede cortar un pequeño número de piezas de forma especial con un círculo interno.

3) Molilla: después de cortar, la capa dañada en la superficie de corte debe retirarse mediante la molienda para garantizar la calidad de la superficie de la oblea de silicio, aproximadamente 50um.

4) Corrosión: la corrosión es eliminar aún más la capa dañada causada por el corte y la molienda, a fin de prepararse para el siguiente proceso de pulido. La corrosión generalmente incluye corrosión alcalina y corrosión ácida. En la actualidad, debido a factores ambientales, la mayoría de ellos adoptan la corrosión alcalina. La cantidad de eliminación de corrosión puede alcanzar el 30-40um, y la rugosidad de la superficie también puede alcanzar el nivel de micras.

5) Pulido: el pulido es un proceso importante para la producción de obleas de silicio. El pulido es mejorar aún más la calidad de la superficie de la oblea de silicio a través de la tecnología CMP (pulida mecánica química), para que pueda cumplir con los requisitos de la producción de chips. Después de pulir, la rugosidad de la superficie suele ser RA <5a.

6) Limpieza y embalaje: a medida que el ancho de línea del circuito integrado se está volviendo cada vez más pequeño, los requisitos para mejorar el índice de tamaño de partícula están cada vez más altos. La limpieza y el embalaje también es un proceso importante para la producción de obleas de silicio. La mayoría de las partículas unidas a la superficie de la oblea de silicio> 0.3um se pueden limpiar mediante la limpieza megasónica, y luego la superficie de la oblea de silicio se puede hacer mediante el envasado de sellado al vacío o el envasado de gas inerte con una caja de enchufe de limpieza de la limpieza de la superficie cumple con los requisitos de los requisitos de IC.

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